概要介紹

碳化矽 (SiC) 技術已成為現代工業領域的變革者，徹底改變了從電力電子到電動車和再生能源的各種應用。其優異的性能，包括高熱導率、寬頻隙和卓越的效率，使其成為旨在提高性能、可靠性和可持續性的行業不可或缺的材料。

碳化矽科學技術的演變

過去幾十年來，在持續研究和創新的推動下，SiC 取得了重大進展。從傳統矽基半導體到SiC基元件的轉變開闢了新的可能性，實現了以前無法實現的高功率、高頻率和高效率的應用。

SiC 開發的關鍵里程碑

1. 早期研究與發現： 對 SiC 的初步研究始於 20 世紀初，但隨著晶體生長技術的進步，實際應用才在 20 世紀 50 年代出現。

2. SiC晶片的商業化： 20 世紀 90 年代，SiC 晶片得到了發展，為工業應用鋪平了道路。

3. 電力電子領域的突破： 21 世紀以來，基於 SiC 的功率元件發展勢頭強勁，並被整合到高效能功率轉換系統中。

4. 現代進步： 如今，SiC 隨著晶圓生產、缺陷減少和高性能應用的創新而不斷發展。

碳化矽科學材料的開發創新

SiC材料得到了顯著的改進，確保了更高的純度、更好的晶體品質和增強的生產可擴展性。一些最新創新包括：

• 超高純度 SiC 晶片： 先進的淨化技術可最大限度地減少缺陷，提高設備性能和壽命。

• 更大的晶圓尺寸： 從4英寸到8英寸SiC晶片的轉變正在提高可擴展性和成本效益。

• 減少缺陷的技術： 新穎的生長方法和缺陷緩解技術正在提高產量和效率。

• 摻雜增強： 摻雜製程的創新增強了 SiC 材料的導電性，並優化了其在電力電子中的性能。